世界唯二MBE磊晶大廠:英特磊(4971)

作者:Leo   |   2016 / 12 / 19

文章來源:Stockfeel X Fugle   |   圖片來源:Lisa


通訊概念股_

英特磊(IET-KY)設立於開曼群島,營運主體在美國德州,與另一家同業IQE,是少數採用分子束磊晶(MBE)技術生產化合物半導體磊晶片的半導體廠。目前主要從事III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產,具有基板到磊晶的垂直整合技術能力,提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用,以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。英特磊正在研發磷化銦HBT,未來可望應用於5G通訊PA中,潛在市場龐大。

世界唯二MBE磊晶大廠-4971英特磊(IET-KY)_內文圖-01

1.砷化鎵磊晶片:因具有超高頻及低雜訊特性,使其在高功率基地台,低雜訊放大器(LNA)及射頻開關(RF Switch)上佔有重要地位。而IET主要產品用於非行動通訊裝置,如:衛星通訊、無線基地台、車用防撞雷達、太空國防、RFID、醫療、智慧型能源系統等

2.磷化銦磊晶片:能提供更低功率消耗、更佳電氣特性,因而使手機待機電壓更低、功率放大倍率更佳。用於高頻量測儀器元件(示波器) 、高頻特殊應用、光通訊用光接收器等

3.其他(銻化鎵磊晶片等):銻化鎵磊晶片主要作為紅外線探測器的元件,主要應用於夜視、保全、國土安全、太空科技等,在軍事用途,如目標搜尋、鎖定上,在民生用途如保全監控及夜視上,均有非常重要之功能。

4.勞務收入:紅外線光偵檢器產品如:銻化鎵紅外線偵檢器,為使用MBE技術成長在銻化鎵基板上,再送到客戶端完成中長波段的紅外線光偵檢器之製造,為勞務收入來源

營運概況

世界唯二MBE磊晶大廠-4971英特磊(IET-KY)_內文圖-02

英特磊公司設立於開曼群島,營運主體則位於美國德州,因此主要銷售區域為北美洲是理所當然的,2015年約佔總營收的83%。截至2015年底,英特磊共有MBE機台18台。

在砷化鎵磊晶片的部分,目前英特磊主要生產砷化鎵pHEMT磊晶片,其具有超高頻、低雜訊的特性。目前主要客戶為Skyworks、UMS:

1.於2014年時,英特磊承接Skyworks所有MBE生產設備(5台MBE機台),獨家供應Skyworks所有非行動裝置之高頻砷化鎵pHEMT磊晶片,成為Skyworks在非手機應用唯一代工廠商。

2.於2014年時,英特磊和Soitec簽訂整廠設備移轉與技術授權合約合約,與既有客戶完成產品認證,獨家供貨予歐洲最強的汽車防撞雷達晶片廠UMS,UMS為BMW、Audi、賓士等歐系高級車廠供應商,並為與Tesla計畫合作自駕車系統Mobileye主要客戶。此部分為英特磊毛利率較高之產品。

在磷化銦磊晶片的部分,主要生產磷化銦HBT磊晶片,客戶為電子量測設備廠Keysight,提供5G量測儀器中的磷化銦磊晶片,英特磊於2012年取得與Keysight的獨家磊晶片供應合約契約共5年,金額為新台幣8億。

在銻化鎵磊晶片部分,主要以國防合約為主,於2014年與美國國防部續約,每年新台幣6000萬的合約。銻化鎵相較於原先用在紅外線設備上的二六族,可將陣列型(紅外偵測器做得更大,如此一來,便可大幅提升紅外線設備的影像解析度,美國將其運用在夜視鏡、衛星通訊、國土監控及太空軍事等相關項目中

在勞務收入部分,為使用MBE技術成長在銻化鎵基板上,再送到客戶端完成中長波段的紅外線光偵檢器之製造。

市場分析

砷化鎵pHEMT因具有超高頻及低雜訊特性,使其在高功率基地台,低雜訊放大器及射頻開關上佔有重要地位。pHEMT因為砷化銦鎵(InGaAs)的加入,使得它未來在電腦與電腦間的無線區域網路、物聯網(IoT)、光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、及汽車防撞系統等應用,都有相當大的成長空間。分子束磊晶法(MBE)及 MOCVD 兩種技術皆可生產pHEMT。傳統上客戶端較習慣使用以MBE成長之pHEMT,因品質水準以MBE技術佔優異特性,且MBE製程良率更勝一籌,在無線通訊產業發展趨勢中更凸顯其重要性。

由於技術提升之需求,透過手機傳輸的資訊性質也愈趨多元、傳輸容量龐大,消費者對良好的傳輸品質、速度與較長的電池壽命等要求亦日益增高,因而有磷化銦HBT發展之需求。磷化銦HBT能提供更低功率消耗、更佳電氣特性,因而使手機待機電壓更低、功率放大倍率更佳。更甚而之,磷化銦HBT能解決網路頻寬瓶頸,使運算產出最大化,因而加速下個世代通訊與運算架構的誕生。磷化銦HBT可應用於網路、通訊、運算、儲存、測量、軍事與太空產品,它能提供 40 gigabits/s(40G)及100 gigabits/s (100G)高速類比半導體解決方案於通訊市場,及高速記憶體介面解決方案於運算市場。據美國整合元件製造代工公司(IDM)大廠分析,磷化銦HBT將在未來主流高頻5G手機PA應用上有極大潛力及優勢。

產業上中下游

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綜觀III-V半導體產業,可以分為上游的基板廠、磊晶圓廠,其中IQE在併購Kopin之後囊括超過4成的市佔率,市佔約2成的全新則是穩懋的重要供應商,僅有幾家廠商屬於寡占市場。

處在較下游的還有IC設計、晶圓代工、IC封裝與測試等廠商,以及國際大廠如skyworks、Avago、Qorvo等砷化鎵整合元件廠(Integrated Device Manufacturers,簡稱IDM),進行產業垂直整合,同時也掌握關鍵技術與專利,擁有高度的元件整合能力。

在無晶圓(fabless)、輕晶圓(fab-lite)的趨勢之下,為了縮減資本支出,上述一線大廠通常會將其中幾項業務切出,英特磊、穩懋與宏捷科即為接獲晶圓代工訂單之廠商。

在終端應用上,手機為最大應用市場,Apple三星HTC等智慧型手機中所應用到的PA,以及無線區域網路(WLAN)的應用,代表廠商有CiscoBroadcom及華為等。

競爭情形

國內外III-V族化合物半導體磊晶的生產業者包括:Kopin、IQE、Soitec、Hitachi Cable、全新光電、台灣高平磊晶、巨鎵科技、翔合等。以MBE技術而言,全球僅存兩家專業MBE 磊晶代工廠︰IQE及英特磊。由於有些大廠商(如:Skyworks)還是獨鍾於MBE技術製造出來之高品質磊晶片,因此在客戶忠誠度上有一定的優勢。

競爭優勢

1.英特磊為全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ,分子束磊晶法(MBE)及化學氣相沉積法(MOCVD)是目前僅存之關鍵且成熟的III-V族化合物半導體磊晶代工技術。兩種技術各有其特殊而不可取代的優點,且MBE在技術上擁有較高門檻

2.法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過,為唯一供應商,獨家供應其汽車防撞雷達晶片之原料,且此部分相較於傳統的手機PA而言毛利率較高

3.其磷化銦HBT具有潛力,在5G技術上佔有重要地位,與電子量測設備廠Keysight的5G量測儀器合約提供其穩定的營收來源。

潛在風險

1.與電子量測設備廠Keysight簽定的合約為5年效期,時間為2012~2017年4月,因此明年第二季此合約將到期,Keysight是否續約將與英特磊繼續簽約為一關注重點

2.主要客戶Skyworks的營收佔比高達30.42%,且Skyworks與蘋果的連動極大,此一部分之風險不可忽略

3.目前5G的通訊協定、頻率等規定尚未開始統一,因此在原料(磊晶片)的部分也差異很多,究竟哪種材料適合5G最後的通訊頻率,還待觀察

未來展望

1.III-V半導體雷射擁有體積小整合性高等優點,在工業上與商用領域均有愈來愈多之應用,其中適合大量量產的面射型雷射(VCSEL),在虛擬實境、肢體動作辨識、近接辨識等領域更有許多新應用陸續開發出來,未來將成為砷化鎵在行動裝置上的重要關鍵元件。

2.磷化銦HBT可應用於網路、通訊、運算、儲存、測量、軍事與太空產品,它能提供 40 gigabits/s(40G)及100 gigabits/s (100G)高速類比半導體解決方案於通訊市場,及高速記憶體介面解決方案於運算市場。據美國整合元件製造代工公司(IDM)大廠分析,磷化銦HBT將在未來主流高頻5G手機PA應用上有極大潛力及優勢。

參考資料
  • MoneyDJ
  • CMoney
  • 自由時報
  • 法說會簡報
  • 中時電子報
  • 蘋果日報
  • 今日代誌
  • Yahoo
  • 2015年報
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