漢磊科技（3707）於 2026/10/07 召開第三季法說會，股感帶你看懂本次重點。
2026 上半年合併營收 33.29 億元，年增 25%，毛利率由負轉正，虧損大幅收斂至 EPS -0.57 元（去年同期 -1.02 元）。GaN 產能自 Q2 起已達 100% 滿載，SiC 利用率從不到 30% 逐季回升至 Q3 60%、Q4 預估 80%，呈現 V 型反彈。市場聚焦兩個方向：GEM5 碳化矽 MOSFET 新技術年底能否如期進入風險量產、以及 2027 年 SiC 營收翻倍的指引有多少根據。
漢磊營運摘要
漢磊科技為功率與類比半導體晶圓代工廠，專注於化合物半導體（GaN 氮化鎵、SiC 碳化矽）與矽基（Si-base TVS）晶圓代工，子公司嘉晶電子（3016）提供磊晶（Epi）服務。董事長徐建華、總經理劉燦文。
- 2026H1 財務表現（合併）：營收 33.29 億元，年增 25%；毛利由負轉正（去年同期毛損 1.31 億 → 今年毛利 2.80 億）；淨損 1.02 億元，較去年同期虧損 4.07 億大幅收斂；EPS -0.57 元。
- 漢磊本業（個體）：上半年營收 11.7 億元，年增 18%，仍為虧損但幅度縮小。
- 主要發展：
- GaN 滿載：Q2 產能利用率達 95% 以上，下半年至明年全年持續 100% 滿載，全年營收成長近 50%
- SiC V 型反彈：利用率從 < 30% → Q3 60% → Q4 80%，下半年營收較上半年成長 120%
- TVS 爆發：Si-base TVS 年增 88%，產能利用率 100%，2026 全年 TVS 業績預估年增 75%–80%
- 4/5 吋整併完成：9 月完成設備與人員轉移，集中資源至 6 吋及 8 吋
- 未來展望：2027 年 SiC 6 吋營收目標成長 100%，GaN 目標年增 20% 以上，AI 佔比預計從 5% 升至 10%–20%，8 吋 SiC 產線（與世界先進合作）年底進入風險量產。
漢磊主要業務與產品組合
2026H1 技術平台營收結構（個體）
| 技術平台 | 佔比 | H1 YoY | 說明 |
| 化合物功率元件（GaN＋SiC） | 25% | — | GaN 反彈 +140%（HoH），SiC 仍在庫存去化 |
| TVS 靜態電壓抑制器 | 39% | +88% | AI 伺服器保護電路需求帶動 |
| 車用 MOSFET | 9% | — | 佔比較去年 19% 下降 |
| 其他（消費性 MOSFET、二極體、CMOS） | 25% | — | — |
2026H1 終端應用結構（個體）
| 應用 | 佔比 | 對比 2025H1 |
| 工業用（功率控制） | 43% | 48% → 43% |
| 消費性 | 40% | 30% → 40% |
| 車用 | 12% | 22% → 12% |
| AI | 5% | 0% → 5% |
2026H1 營收地區結構（個體）
| 地區 | 佔比 | YoY |
| 美國 | 38% | +30% |
| 台灣 | 24% | +84% |
| 中國 | 17% | -16% |
| 其他 | 21% | — |
漢磊財務表現
合併損益概覽（單位：億元）
| 項目 | 2025H1 | 2025 全年 | 2026H1 | YoY |
| 營業收入 | 26.62 | 57.66 | 33.30 | +25% |
| 營業毛利（損） | (1.31) | (1.90) | 2.80 | 由負轉正 |
| 營業損益 | (4.64) | (8.69) | (0.73) | 虧損收斂 84% |
| 稅前損益 | (4.16) | (7.38) | (0.36) | 虧損收斂 91% |
| 本期損益 | (4.07) | (7.49) | (1.02) | 虧損收斂 75% |
| EPS（元） | (1.02) | (1.97) | (0.57) | — |
合併資產負債表重點（2026/6/30）
| 項目 | 金額（億元） | 佔比 |
| 流動資產 | 83.09 | 56% |
| 非流動資產 | 65.34 | 44% |
| 資產總計 | 148.43 | 100% |
| 負債總計 | 36.71 | 25% |
| 權益總計 | 111.72 | 75% |
| 每股淨值（元） | 21.78 | — |
負債比僅 25%，財務風險低。去年處分嘉晶電子 1.4 萬張股票，回收約 16 億元資金，將用於 6 吋及 8 吋產線擴充。
漢磊三大技術平台展望
① GaN（氮化鎵）：產能滿載，長線需求強勁
- 2026 全年營收年增近 50%，2027 年目標年增 20% 以上
- 產能利用率 > 100%，客戶需求約為現有產能的 兩倍，正協商短期內如何快速擴產
- 主要應用：AI Data Center PSU、無人機馬達驅動、人形機器人（輕量化高頻控制）
- 第七代 eGaN 與客戶聯合開發中，性能為傳統矽 MOSFET 的 3 倍，預計今年底至明年 Q1 完成開發
② SiC（碳化矽）：V 型反彈，8 吋接棒
- 下半年營收較上半年成長 > 120%（上半年基期低）
- 利用率路徑：Q1–Q2 < 30% → Q3 60% → Q4 80% → 2027 年目標 90%
- 2027 年 6 吋 SiC 營收目標成長 100%，若產能不足由 8 吋產線補足
- GEM5 碳化矽 MOSFET 正式發布：Cell Pitch 縮至 3.3μm，Ron,sp 降至 2.2 mΩ·cm²，晶片面積縮小 15%，良率達 95% 以上，年底前進入風險量產，5 家客戶已排隊 Tape-out
- 下一代 GEM6 正在開發中
- 元件價格止跌回穩，部分原物料（Epi Substrate）供應商已預告明年調漲
③ TVS（靜態電壓抑制器）：AI 伺服器保護需求帶動
- 6 吋 TVS 下半年業績較上半年成長 35%–40%，2026 全年年增 75%–80%
- 產能利用率已達 100%，Q2 起啟動擴產
- 漢磊專注高門檻 Bipolar TVS，搭配子公司嘉晶的磊晶支援，6 吋為最佳量產尺寸
- 2027 年挑戰 20% 年成長
漢磊產能與擴廠計畫
| 項目 | 內容 |
| 4/5 吋整併 | 2026/7 完成 Last-Time Buy 交付，8 月停產，9 月完成設備與人員轉移，未來資源集中 6/8 吋 |
| 6 吋擴產 | TVS Q2 起擴產，配合客戶需求擴充產能 |
| 8 吋 SiC（與世界先進合作） | 目前月產 1,500 片試產，良率 95% 以上優於 6 吋。年底前進入風險量產，5 家客戶排隊。未來可快速擴至月產 3,000 片（相當於 6 吋 6,000 片） |
| 6 吋 SiC | 月產能約 5,000 片，2027 年挑戰滿載 |
合計產能展望：6 吋 5,000 片＋8 吋 3,000 片（= 6 吋當量 6,000 片），總產能相當於 6 吋月產約 11,000 片。
漢磊 Q&A 重點
Q：與世界先進合作 8 吋 SiC 如何分工？對毛利率的影響？
A（徐建華）：漢磊負責客戶與技術移轉，世界先進專注生產製造。初期產量不大，對毛利率有一定影響，屬新產線常態，後續隨利用率提升而改善。使用漢磊技術平台的訂單由漢磊接單；若 IDM 大廠使用自有技術，可選擇透過漢磊或直接與世界先進合作。
Q：SiC 利用率從 30% 升至 80%–90%，AI 佔比多少？
A（徐建華）：漢磊在碳化矽端尚未直接接獲 AI 訂單，但 GaN 已有超過 50% 用於 AI 基礎設施。SiC 受惠方式為「外溢效應」—大廠將產能集中於 AI，工業與消費性訂單外溢至漢磊。中國市場部分客戶已進入 SST 與 Power Rack 領域。
Q：GEM5 技術對 ASP 的提升幅度？
A（劉燦文）：以晶片面積縮小 15% 計算，同一片晶圓產出更多晶粒，ASP 理應提升約 15%。但最終價格仍受市場競爭與對手策略影響。在缺貨情境下，可能獲得更多訂單。
Q：2027 年 AI 佔比會到多少？
A（劉燦文）：上半年 5%，預估下半年及明年有機會往 10%–20% 成長。SiC 端 AI 應用今年較少，但明年會陸續出現。
Q：嘉晶電子長約與報價策略？
A（徐建華）：部分產品簽長約、部分不簽，保留彈性。Q3 起已開始調整價格，明年將視市場狀況進一步調整，部分反映 Epi Substrate 等原物料成本上漲。
免責聲明
本文依據漢磊科技 2026/10/07 法人說明會之簡報與影音整理而成，所有數據以公司官方公告為準。本文僅供資訊參考，不構成投資建議，投資前請自行評估風險。
