MOSFET 是什麼？功率半導體崛起？為何近期熱度提升？安世事件帶來哪些利多？

MOSFET 的全稱為，「金屬氧化物半導體場效電晶體」（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，以下簡稱 MOSFET），是現代電子工業中應用最為廣泛的基礎元件之一。無論是在複雜的積體電路（IC）設計中，還是在終端的電路板（PCB）應用上，重要性不可替代。特別是在大功率半導體，MOSFET 可以精準的控制電源電子，可以直觀的理解成電子電路中的「精密開關」。但為何近期 Mosfet 的熱度如此之高呢？

MOSFET 是什麼？

從物理結構上看，MOSFET 是一種利用電場效應來控制電流導通的元件。其三端結構包含閘極（Gate）、源極（Source）與汲極（Drain）。其透過施加電壓於閘極，在下方的半導體表面感應出導電通道，從而允許電流在源極與汲極之間流動。根據導電特性與內部摻雜通道的差異，MOSFET 演化出三種最基本的技術形式：NMOS、PMOS 與 CMOS 。

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MOSFET 基本結構類型
結構類型	通道類型	載流子	運作機制說明	技術優勢與限制
NMOS (N-type)	N 型通道	電子	閘極施加正電壓吸引電子形成通道，使電流導通。	電子遷移率高，開關速度快，是功率元件的首選，但在靜態時較耗電。
PMOS (P-type)	P 型通道	電洞	閘極施加負電壓吸引電洞形成通道，與 NMOS 導電特性相反。	製造工藝成熟，但電洞移動速度較電子慢，效率較低，通常不單獨用於高頻。
CMOS (Complementary)	互補型	電子與電洞	由一個 NMOS 與一個 PMOS 對稱組合而成，是目前數位電路的主流。	靜態功耗極低，僅在 0 與 1 切換時耗電，是現代行動裝置長效續航的基礎。

晶片從平面到 3D

當閘極長度縮短至極限，閘極對通道的控制力會大幅減弱，導致即使在「關閉」狀態，電子還是會透過基板滲漏，產生漏電。為了克服這一點，半導體工程師把電晶體從「平面」拉向「三維」，把它想像成電線放在地上接觸到導電物就會漏電，但如果今天使用絕緣體包覆，就不會漏電了。

MosFET架構

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MOSFET 技術演進與結構差異
技術	主要製程節點	結構特點描述	閘極控制	漏電抑制能力
平面式（PlanarFET）	28nm 以上	傳統 2D 結構，閘極僅從上方控制通道	弱	低（易產生漏電）
鰭式場效電晶體 (FinFET)	22nm – 3nm	3D 結構，通道如魚鰭般立起，閘極從三面包裹通道	強	高（顯著減少漏電）
全環繞閘極 (GAAFET)	3nm 以下	奈米片 (Nanosheet) 結構，閘極全方位 360 度包裹通道	極強	極高（支撐 2nm 以下微縮）

FinFET 的導入是半導體史上的重大突破。它將通道設計成垂直垂直的薄膜（鰭片），讓閘極能夠從左、右、上三面進行控制，大幅增強了靜電吸引力並抑制了漏電。而目前最先進的 GAAFET（Gate-All-Around）將通道設計成多層水平疊放的奈米線或奈米片，閘極則完全包裹住通道的四個側面。這種「全環繞」的設計提供了近乎完美的電力控制，是目前 3 奈米及未來 2 奈米、1 奈米製程得以實現的關鍵技術支撐。

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為何 MOSFET 近期的熱度再次提升？

我們將話題回到 MOSFET ，雖然是成熟技術，但 MOSFET 在 2024 年至 2026 年間，熱度重新爆發，主要由以下原因推動。

MOSFET 應用在 AI 伺服器

AI 伺服器（如搭載 NVIDIA H100、Blackwell 架構的系統）對電力需求極高，傳統的 12V 電源系統在輸送強大電流時會產生巨大的熱損耗。因此，全球資料中心正大規模轉向 48V 供電架構。

這種轉變對 MOSFET 產業產生龐大需求需求，為什麼呢？因為，48V 系統需要更多的電壓轉換，導致單台伺服器內部的 MOSFET 數量增加 2 至 3 倍。而為了應對高效率與高功率密度要求，系統需要導入更先進的中壓與低壓 MOSFET 封裝技術及材料。

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AI 伺服器與傳統伺服器 MOSFET 需求對比
比較項目	傳統伺服器	AI 伺服器 (如 NVIDIA 平台)	對 MOSFET 的影響
單機功耗	500W – 1000W	3000W – 12000W	功率承載能力需顯著提升。
供電電壓	12V 系統	48V 系統	需更多中壓 (30V-100V) MOSFET。
MOSFET 使用量	約 40 – 60 顆	超過 150 – 200 顆	帶動出貨量呈倍數成長。
轉換效率要求	92% – 94%	97.5% 以上	驅動 MOSFET 往低導通阻抗方向演進

MOSFET 應用在電動車與再生能源

電動車（EV）的滲透率在 2024 年的全球銷量超過 1700 萬輛，而一輛電動車在牽引逆變器、車載充電器（OBC）、DC-DC 轉換器以及電池管理系統（BMS）中，需要使用上千個功率 MOSFET。跟傳統燃油車相比，電動車對 MOSFET 的需求價值量提升了 5 至 10 倍。同時，太陽能與風能系統中不可或缺的逆變器，也極度依賴高壓 MOSFET 進行直流與交流電的轉換。

2025 年安世半導體（Nexperia）事件

在 2025 年，全球 MOSFET 產業發生一場震驚業界的風暴，總部位於荷蘭的功率半導體龍頭安世半導體（Nexperia）在 2019 年被中資聞泰科技（Wingtech）收購。這場事件改寫全球供應鏈，也為台灣廠商帶來結構性轉單機會。

事件起因

2024 年底，當時美國商務部把聞泰科技列入美國出口管制清單。到了 2025 年 9 月 30 日，荷蘭政府罕見地引用冷戰時期的《商品供應法》（Goods Availability Act），以維護國家安全及供應鏈治理缺陷為由，強制接管安世半導體。

緊接著 2025 年 10 月，荷蘭法院裁定暫停聞泰創辦人張學政的 CEO 職務，並凍結中資母公司的投票權，由法院指派的臨時管理層接手營運。中國政府隨即展開強力反擊。2025 年 10 月 4 日，中國商務部宣布對安世位於東莞等地的中國廠區實施嚴格的出口管制，禁止成品與組件運往歐洲及美國。

原先晶片都是先在歐洲設計及前端生產，再送到中國進行封裝出貨。也導致安世在全球汽車供應鏈中（安世供應歐洲車廠約 40% 需求的 MOSFET 與二極體）瞬間面臨斷鏈。高度依賴安世的嵌入式組件的車廠像福斯、BMW、賓士及本田，不得不面臨減產或停產。

市場現狀

截至 2026 年初，安世半導體實際上已經分裂成兩個實體：歐洲的總部（EMEA）與中國的生產子公司。歐洲總部指控中國廠區將原定出口的庫存私自轉賣給中國本地客戶，並試圖繞過歐洲技術授權另起爐灶。雖然 2025 年底雙方曾短暫透過豁免，放寬部分限制以緩解斷鏈壓力，直到目前 2026/05 為止事情還沒有定案，雙方仍在法院攻防。

這種不確定性引發了全球車廠大規模的「去風險化（De-risking）」浪潮。由於車用電子元件需經過嚴苛的 AEC-Q101 認證，且導入週期長達 5 至 10 年，一旦某個供應商被標記為「地緣政治高風險」，車廠會毫不猶豫地尋找具備同樣認證、且「非中資背景」的替代方案，這也讓台灣功率元件廠商迎來的黃金時刻。

台廠轉單效應

台灣 MOSFET 與功率元件廠商因長期深耕車規市場，且擁有完整的自主產能，成為此波危機中全球車廠的首選。

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安世事件後受益台廠
公司	股票代碼	受益關鍵原因	轉單與市場動態描述
台半	5425	車用營收佔比逾 50%，具備齊全的車規 TVS/MOSFET 認證。	2025 年底營收年增顯著，股價提前反應市場預期。
強茂	2481	產品線與安世高度重疊，具備從晶圓到封裝的完整 IDM 能力。	成功切入歐洲高階車廠供應鏈，填補安世留下的空缺，營運朝高壓、高頻升級。
朋程	8255	專精於 48V 系統 MOSFET 模組，車用布局較深。	受惠於車用系統升級與安世供貨不穩，加速擴建產線以應對歐洲與日本車廠的急單。
力智	6719	具備 PMIC+MOSFET 的 SPS 整合能力，打入伺服器與網通。	雖然主力在運算平台，但也受惠於整體供應鏈對非中資電源管理方案的需求提升。

由於更換供應商涉及極高的驗證成本與風險，一旦歐美車廠在 2025 年將訂單轉向台廠並完成驗證，這些產能將在未來 5 到 10 年的車型週期中穩定貢獻，讓台廠晉升主要供應商。

全球 MOSFET 市場現況與台廠地位

全球 MOSFET 市場主要由歐、美、日的大型垂直整合製造商（IDM）主導。這些大廠擁有自己的晶圓廠、封測廠與研發中心，能夠垂直整合技術與產能。

2024-2025 全球功率 MOSFET 市占排名
廠商名稱	國別	2024 市佔率估計	關鍵動態與技術亮點
英飛凌 (Infineon)	德國	23.53%	全球龍頭，收購 GaN Systems 強化氮化鎵布局，引領 300mm 功率晶圓技術。
安森美 (ONsemi)	美國	12.02%	專注汽車與工業領域，與全球多家 EV 巨頭簽署 SiC MOSFET 長期供應合約。
意法半導體 (STMicro)	瑞士	6.58%	碳化矽 (SiC) 領域的先驅，與特斯拉有深厚的供貨關係。
安世半導體(Nexperia)	荷蘭	6.17%	低壓和中壓 MOSFET 被廣泛應用於汽車和行動應用領域。
威世 (Vishay)	美國	5.26%	推出 Gen 4.5 系列高壓 MOSFET，有極低導通電阻與高耐用性。
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台廠的市場份額與切入點

台灣 MOSFET 業者在早期主要集中在「低壓（30V 以下）」市場，尤其是在主機板與筆記型電腦應用中佔有極高市佔率。然而，隨著消費性電子利潤趨薄，台廠正積極轉向中高壓與高性能市場。

目前，台廠在全球 MOSFET 產值的佔比約在 10% 至 15% 之間，但在特定的 PC 相關領域，台廠供應全球超過 50% 的需求。近年台廠的策略明確轉向「去消費化」，開始切入伺服器 V-Core、工業馬達驅動以及電動車電源管理。

例如，力智 (6719) 與大中 (6435) 等公司，成功打入全球主流伺服器與資料中心供應鏈。台灣具備全球最完整的半導體生態系，透過與世界先進 (5347) 或台積電等代工廠的合作，台廠能快速導入最先進的溝槽式（Trench）或屏蔽閘極技術（SGT），展現極強的成本與技術競爭力。

MOSFET 台灣概念股

台灣 MOSFET 產業鏈主要由設計公司（Fabless）與相關的晶圓代工、封測廠組成。在這一波 AI 與 EV 浪潮中，相關個股的表現與公司技術轉型深度密切相關，除了以下公司外還有其他相關概念股，礙於篇幅股感就沒有一一列出。

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台灣 MOSFET 概念股
股票代碼	公司	主要產品	詳細內容
6719	力智	電源管理 IC 與 MOSFET 整合 (SPS)	深耕 AI 伺服器供電，網通平台營收佔比提升，目標伺服器營收突破 5% 。
6435	大中	高壓、中壓 MOSFET 設計	受益於 48V 資料中心架構升級，中壓 SGT MOSFET 出貨穩健。
3317	尼克森	PC 與消費性 MOSFET	積極布局高壓產品與第三類半導體 (SiC) 研發，切入能源管理領域。
8261	富鼎	功率半導體元件	隸屬鴻海集團，具備電動車平台 (MIH) 內供優勢，發展高壓 MOSFET 與 SiC 技術。
5299	杰力	NB 與消費性功率元件	轉向高效能運算 (HPC) 與穿戴式裝置電源管理，優化產品組合以提升毛利。
5347	世界先進	功率半導體晶圓代工	與漢磊合作開發 8 吋 SiC 產能，預計 2026 年量產，搶佔 WBG 元件代工先機。

力智 (6719) 的高價值轉型

力智電子是台灣 MOSFET 領域中，少數具備將電源管理 IC (PMIC) 與功率元件 (MOSFET) 整合為「智慧功率級」(Smart Power Stage, SPS) 能力的公司。在 AI 運算中 GPU 需要極高能量密度的供電，力智的 SPS 產品具備高電流承載（達 90A 以上）與優異的熱管理，成為 AI 伺服器供應鏈中的重要參與者。2026Q1 法說會透露，雖然短期內受庫存調整影響，但其高價值產品佔比持續提升，推升毛利率回升至 35% 以上，公司從消費性電子轉向高效能運算。

結論

MOSFET 產業從過去被視為低階、低毛利的基礎零件，到如今成為 AI 伺服器電力心臟與電動車效能關鍵，相關技術門檻還有商業價值也隨之提升。

AI 驅動的量價齊揚：48V 供電架構的升級，增加 MOSFET 的使用數量，也驅動高階封裝與中壓高性能產品的市場需求，提高產品單價。
第三類半導體的替代效應：SiC 與 GaN MOSFET 的普及將重新定義高壓與高頻電路的設計，而具備提前布局能力的國際 IDM 廠與台灣代工廠（如世界先進）將成為最大受益者。
台廠的升級機遇：台灣 MOSFET 個股脫離單一的消費性循環，透過與 AI 伺服器品牌廠及車用電子供應鏈的深度綁定，預計會有更強的獲利與成長潛力。

【延伸閱讀】

週餘

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