記憶體產業屬於半導體領域中極為重要且波動性明顯的一環，直接影響著電腦、手機、數據中心及 AI 運算等眾多下游應用。近年來，隨著人工智慧（AI）、5G、雲端運算等技術快速發展，對高速與大容量記憶體的需求持續攀升，推動高階記憶體的市場需求。本篇文章將深入分析記憶體產業的關鍵技術與未來趨勢，並提供投資者關於記憶體概念股的分析與建議。
編按：2026/1/28 更新｜DDR4 價格「倒掛」現象延燒，漲勢遠勝 DDR5
近期 DRAM 現貨市場出現罕見的「舊規格漲得比新規格還兇」現象：DDR4 因供給緊俏、下游仍有大量相容性需求，價格漲幅明顯超越 DDR5。市場普遍把原因指向 AI 浪潮帶動 HBM 需求暴增，上游記憶體大廠將更多先進產能與資本支出轉向 HBM（HBM3e、未來 HBM4），進一步壓縮 DDR4/DDR5 的常規供給，讓供需失衡加劇、價格更容易被情緒與搶貨行為推升。編按：2026/1/28 更新｜「AI 記憶體超級循環」四條主線更清楚
這波記憶體走勢已不只是景氣循環反彈，市場更常用「超級循環」描述其結構性驅動，主線可簡化為四點：
HBM 排擠效應：產能與資本支出向 HBM 傾斜，支撐標準型 DRAM 報價底部並增添續漲想像。
Edge AI 容量倍增：AI PC / AI 手機的記憶體容量門檻上移，終端規格升級成為新增需求來源。
DDR5 世代交替加速：平台滲透率提升、價差收斂後，DDR5 轉主流有利於高階模組與相關供應鏈。
NAND 需求反轉：AI 伺服器的資料吞吐需求推升企業級 SSD（含 QLC）配置，Flash 市場的「供需修復」更可能延續到 2026。
編按：2025/6/24 更新｜近期 DDR4 的合約價格飆漲，16Gb 的 DDR4 晶片報價已是相同容量 16Gb DDR5 晶片的一倍價格。是 DRAM 首次前一代產品報價竟比最新規格高 100%。由於網通、工控等應用仍使用 DDR4 無法立即轉換，而三大記憶體原廠及中國長鑫先前陸續宣布停、減產 DDR4，客戶被迫加大備貨避免供應鏈中斷，引爆搶購潮。在這波漲價潮中南亞科、華邦電為 DDR4 主要供應商，成為最大受惠股，其他記憶體族群也跟著走揚。
2025/4/18 更新｜根據 TrendForce 最新調查，在美國宣布對等關稅政策後，隨即再宣布對多數地區提供 90 天寬限期，加上近期政策反覆，已實質改變記憶體市場供需雙方的操作策略。由於買賣雙方都想在寬限期內完成交易和出貨，以降低政策帶來的不確定風險，預計第二季記憶體市場的買氣會變得更加熱絡。本土券商預測，第二季 DRAM 與 NAND 合約價格漲幅可能超過 10%。然而筆者認為，這波漲勢主要來自美系品牌客戶對關稅不確定性的擔憂而提前備貨，屬於短期刺激效應，因此市場榮景恐僅限於第二季。至於下半年記憶體市場的供需變化與價格走向，還得看美國最終的關稅政策怎麼定。
2025/03/06 更新｜新聞媒體報導，兩大美商美光、SanDisk，雙雙發出漲價通知，兩大廠商預計自4月1日起調整產品價格，漲幅超過 10％。根據券商的供應鏈調查，實際上 SanDisk 宣布漲價是 NAND Flash，不是 DRAM，至於美光是否有具體漲價的細節還需再確認。
記憶體是什麼？
記憶體（Memory）是電子設備中用於儲存數據和指令的重要組件，廣泛應用於電腦、手機、伺服器等設備，它就像設備的「短期記憶」或「長期記憶」，負責暫時儲存正在處理的數據，或長期保存重要的資訊。根據是否能在斷電後保留數據，記憶體可分為兩大類：斷電後資料仍留存「非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory）」，和切斷電源後資料會消失「揮發性記憶體（Volatile Memory）」。
- 揮發性記憶體：用於暫時儲存數據和指令，供 CPU 快速存取，斷電後數據會消失，例如 RAM（隨機存取記憶體），常見的 RAM 類型包括 DRAM（動態隨機存取記憶體）和 SRAM（靜態隨機存取記憶體）。
- 非揮發性記憶體：用於長期儲存數據，斷電後數據仍能保留，例如快閃記憶體（Flash Memory），又分為 NANDd Flash 和 NOR Flash。
簡單來說，揮發性記憶體像短期記憶，處理即時任務；非揮發性記憶體像長期記憶，保存重要資料。兩者互補，共同支撐電子設備的運作。接下來，將詳細介紹文中提到的四種記憶體類型：NAND Flash、NOR Flash、DRAM 和 HBM。
NAND Flash 是什麼？
NAND Flash 是一種非揮發性記憶體，即使斷電後數據也不會丟失，屬於快閃記憶體（Flash Memory）的一種類型，它因內部的 NAND 邏輯閘結構而得名，這種結構實現了高密度數據儲存並具有較低的單位儲存成本，非常適合用於長期儲存數據。
簡單說，NAND Flash 就像一個「超大型數位倉庫」，專門用超低成本，大量放入你的資料（照片、影片、遊戲），斷電也不會消失，但管理麻煩，適合「量大管飽」的儲存需求。
NAND Flash 根據每個儲存單元（Cell）儲存的位元數量分為：
- SLC（Single-Level Cell）：每單元存儲 1 位元，速度快、壽命長（10 萬次擦寫），但成本高，主要應用在早期高階應用，如工業級儲存裝置。
- MLC（Multi-Level Cell）：每單元存儲 2 位元，成本較低，但壽命較短（約 3 千– 1 萬次），主要應用在消費性電子產品，如手機、SSD。
- TLC（Triple-Level Cell）：每單元存儲 3 位元，成本更低，壽命約 500–3 千次，需搭配更強糾錯技術（ECC），主要應用在主流消費級 SSD、記憶卡。
- QLC（Quad-Level Cell）：每單元存儲 4 位元，容量最大化，但壽命僅約 100–1 千次，主要應用在大容量儲存需求，如雲端儲存、歸檔資料。
NOR Flash 是什麼？
NOR Flash 是一種非揮發性記憶體，與 NAND Flash 同屬快閃記憶體（Flash Memory）家族，但其內部結構和應用場景截然不同，它的儲存單元以並聯方式連接，允許直接存取每個位元組，類似於 RAM 的工作方式。這一特性使其支援「就地執行」（Execute in Place, XIP），即無需將資料載入 RAM 即可運行程式碼。
簡單說，NOR Flash 就像一個「即開即用的程式碼保險箱」，專門用來存放設備「一通電就要立刻執行」的關鍵程式（例如手機開機指令、汽車煞車系統代碼），而且斷電也不會消失，還能像翻書一樣快速找到任何一頁。
NOR Flash 根據每個儲存單元（Cell）儲存的位元數量分為：
- SLC（Single-Level Cell）：每單元存儲 1 位元，高可靠性，用於工業或汽車領域。
- MLC（Multi-Level Cell）：每單元存儲 2 位元，容量提升但壽命較短，適用消費電子。
NAND Flash 與 NOR Flash 的區別
看完上述可能還是不清楚 NAND Flash 和 NOR Flash 之間的差異，以下簡單白話解釋，
NAND Flash：像「倉庫」：數據像貨物一樣堆疊存放，存取時要「一批一批搬運」（以頁或塊為單位）。
- 優點：容量大、便宜（適合存大量資料）。
- 缺點：無法直接讀取特定位置，速度較慢。
- 總結：大容量倉庫，便宜但管理麻煩，存「資料」。
- 比喻：行車時，NAND Flash 存「地圖資料和音樂」。
NOR Flash：像「書架」：每本書（數據）都有獨立位置，可直接抽出一本閱讀。
- 優點：讀取快、穩定（適合存程式碼，CPU 能直接執行）。
- 缺點：容量小、成本高。
- 總結：精緻工具箱，昂貴但隨拿隨用，存「程式碼」。
- 比喻：行車時，NOR Flash 存「煞車控制程式」，確保即時反應。
DRAM 是什麼？
DRAM（動態隨機存取記憶體，Dynamic Random Access Memory）是一種揮發性記憶體，用於暫時儲存資料和指令，供 CPU 快速存取，它由電容器和電晶體組成，電容器儲存電荷（電荷的有無代表 0 或 1），電晶體控制資料存取。由於電容器會自然放電，DRAM 是「動態」的，需定期刷新（通常每 64 毫秒）以保持資料完整。
至於新聞媒體及券商報告常提到的 DDR 又是什麼呢？
DDR 是什麼？
DDR（雙倍資料速率，Double Data Rate）是 DRAM 的改進版本，全稱 DDR SDRAM（雙倍資料速率同步動態隨機存取記憶體），利用時脈信號的上升沿和下降沿各傳輸一次資料，使資料傳輸速率在相同時脈頻率下翻倍。簡單來說，DDR 是 DRAM 的「高速公路升級版」，將單線道拓寬為雙線道，速度更快、效率更高。
隨著世代演進，DRAM 技術不斷進化，每一代都在速度、功耗和容量上有所提升：
DDR3：傳輸速率 800-2133 MT/s，電壓 1.5V，應用於早期設備。
DDR4：傳輸速率 1600-3200 MT/s，電壓 1.2V，功耗更低且頻寬更高，廣泛用於現代裝置。
DDR5：傳輸速率 3200-6400 MT/s，電壓 1.1V，支援更大容量與更高頻寬，成為當前主流。
HBM 是什麼？
HBM（高頻寬記憶體，High Bandwidth Memory）是一種先進的 DRAM 類型，專為高性能運算設計，提供極高的數據傳輸頻寬，HBM 採用 3D 堆疊技術，將多層 DRAM 晶片垂直堆疊，並通過矽穿孔（TSV, Through-Silicon Via）技術連接，大幅提升數據傳輸速度和效率，同時降低功耗。
簡單來說，HBM（高頻寬記憶體） 就像是記憶體界的「八線道高速公路 + 立體停車場」，用3D 堆疊和超寬通道，把資料傳輸速度飆到極限，專門伺候「吃數據怪獸」如 AI 晶片、頂級顯卡！
廣泛應用於電腦、手機等電子設備中。它主要用於暫時儲存數據，作為系統運行的核心組件，直接影響設備的效能。DRAM的特點是存取速度快，但需要持續供電以保留數據，一旦斷電，數據就會丟失。隨著技術進步，像HBM（高頻寬記憶體）這樣的先進DRAM類型，正被應用於AI等高性能需求領域，主要用於高性能顯卡（GPU）、AI加速器、伺服器和超級電腦等需要大量數據處理的設備，例如機器學習和圖形渲染。
隨著世代演進，DRAM 技術不斷進化，每一代都在速度、功耗和容量上有所提升：
HBM 的世代演進（從 HBM1 到 HBM4）
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世代 |
頻寬 |
堆疊層數 |
應用場景 |
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HBM1 |
128GB/s |
4 層 |
初代顯卡 |
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HBM2 |
307GB/s |
8 層 |
AI 晶片 |
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HBM2E |
460GB/s |
12 層 |
超級電腦 |
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HBM3 |
819GB/s |
12 層 |
頂級顯卡 |
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HBM4 |
1.5TB/s↑ |
16 層↑ |
未來 AI 與量子計算 |
HBM 與傳統 DRAM 的區別
HBM：頻寬極高（可達數百GB/s）、功耗低、封裝尺寸小。
傳統 DRAM：頻寬較低，功耗較高，封裝尺寸較大。
記憶體產業趨勢
記憶體作為半導體產業中的大宗物資，其供需關係極為密切：供大於求時價格下跌，產業進入寒冬；反之則價格上揚，產業繁榮。
記憶體就產業供應鏈來說，分為上游的原廠、中游的封測廠，以及下游的模組廠和通路商，模組廠和通路商再把成品交給電子代工廠，組裝成終端產品，如家電、通訊和資訊產品，近年來NB、手機、平板和伺服器記憶體的用量都很大，原廠因為是工廠固定成本高，增產和減產比較不靈活，因此售價大部分是合約價，模組廠和通路商是生意人，反應較快，售價大多是現貨價。
在景氣好轉時，終端需求上升促使電子代工廠大量進貨，下游模組廠囤貨使現貨價格走高、獲利超越原廠，進而帶動原廠提高合約價，形成產業榮景。相反，景氣衰退時需求減少，庫存拋售壓低現貨價格、獲利急降，最終使原廠也降低合約價，產業陷入蕭條，以過去經驗，記憶體產業大約三年循環一次。
接下來近一步說明 DRAM 、 NAND Flash近況，
DRAM 產業狀況
AI 應用快速擴張，正深刻改變 DRAM 產業的供需結構。近年上游記憶體原廠持續將產能與資本支出集中於高頻寬記憶體（HBM）與先進製程，使一般型 DRAM（DDR4、DDR5）的新增供給受到明顯限制，形成結構性的產能排擠效應，成熟製程產品供應吃緊的情況短期難以改善。
在交易模式上，DRAM 市場的長期供貨合約已逐步由「鎖價鎖量」轉為「鎖量不鎖價」。此一轉變有助於確保產能優先順序與出貨穩定度，但價格仍隨市場波動調整，使供應商能避免虧損，卻也限制毛利率的上行空間。對整體產業而言，這代表 DRAM 市場正從價格競爭，轉向以供給掌控與結構穩定為核心。
從供需面來看，市場普遍預期 DRAM 緊俏態勢將延續至 2026 年底。HBM 投片比重持續提高，壓縮一般型 DRAM 可用產能，特別是仍被大量終端設備採用的 DDR4，供給壓力最為明顯。需求端則以 AI 與伺服器為主要成長動能，AI Server 對 DRAM 的需求占比持續攀升，顯示高階應用正成為支撐產業景氣的關鍵力量。
DRAM 產業已進入「高檔盤整、供給受限」的新階段。在產能排擠效應持續、合約結構改變的背景下，市場預期真正的供需再平衡，將延後至 2027 年後逐步顯現。
NAND Flash 產業狀況
NAND Flash 正由傳統消費性電子週期，轉向以 AI 應用為核心的結構性成長。隨著 AI 模型從訓練走向推理階段，資料中心對高容量、低延遲儲存需求大幅提升，使企業級 SSD（eSSD）成為本輪需求成長的關鍵引擎。同時，傳統 HDD 供應受限，加速資料中心以 SSD 取代 HDD，進一步放大 NAND 的中長期需求動能。
在技術面上，隨堆疊層數持續提升，QLC（Quad-Level Cell）與 TLC（Triple-Level Cell）在單位晶圓上的容量差距擴大，QLC 成本結構快速改善，成為高容量儲存的首選方案。特別是在 AI 推理與資料快取場景下，QLC SSD 在能耗與性價比上的優勢逐步顯現，帶動其於企業級與客戶端 SSD 的滲透率同步提升。
供給端則呈現高度克制。記憶體原廠將資本支出優先配置於製程轉進與高階產品，而非單純擴充產能；加上高層數堆疊對蝕刻與沉積製程的技術門檻顯著提高，使 NAND 擴產難度上升，整體供給增幅受限。在此背景下，市場供需關係已明顯由需求端主導，定價權逐步回到供應鏈上游。
價格面方面，NAND Flash 正處於落後補漲階段。隨著 AI 伺服器、eSSD 與 AI PC 帶動的容量升級需求同步發酵，合約價與現貨價呈現結構性上行趨勢，產業界普遍預期供不應求格局將延續至 2026 年底。
記憶體概念股
基於前段提及產業趨勢，記憶體產業未來有望在 2025Q2 進入上行週期，投資人可以留意相關記憶體概念股，本段將介紹有哪些值得留意的記憶體概念股。
記憶體概念股：群聯（8299）
群聯成立於 2000 年，總部位於台灣新竹，是一家專注於 NAND Flash 控制晶片 與 儲存解決方案 設計與製造的企業。作為全球領先的 SSD（固態硬碟）控制晶片供應商，群聯的產品廣泛應用於消費電子、工業應用和企業級儲存領域。該公司與多家國際頂尖科技企業合作，憑藉技術創新與市場敏銳度，在全球記憶體產業中佔有一席之地。
投資亮點
- 市場需求成長：隨著資料中心、企業級儲存和消費電子對高速儲存的需求增加，NAND Flash 市場持續擴張，群聯作為關鍵供應商直接受益。
- 技術領先：群聯在 PCIe Gen4 和 Gen5 技術上處於行業前沿，其控制晶片支援高速資料傳輸與低功耗，滿足高效能儲存需求。
- 全球客戶網絡：公司在美國、亞洲等多地設有業務據點，客戶遍佈全球，營收來源多元化，具備穩定的市場基礎
編按 2026/1/28 更新：近期市場對記憶體供需緊俏的共識進一步升溫，多位產業高層指出，AI 基礎建設所帶動的記憶體短缺已延伸至 2027 年的結構性問題。在 NAND Flash 端，特定高需求元件的現貨價格已出現倍數級上漲，合約價雖反應較慢，但全年平均售價走勢明顯轉強。在此背景下，群聯除受惠 NAND Flash 供給吃緊與價格上行外，企業級 SSD（eSSD）與高階控制晶片的重要性同步提升。隨 AI 伺服器與資料中心對高速、低延遲儲存需求增加，市場對控制 IC 技術與客戶關係的重視程度明顯提高，有利於具備研發能力與產品線完整度的供應商。法人亦指出，若記憶體漲價循環延續，群聯在庫存管理與產品組合調整上的彈性，將成為中期營運的重要支撐。
編按：群聯於 2025/3/7 召開 2024Q4 法說會，公司表示 PC、手機、消費性與工控需求均逐月增溫，預期 1 月營收即是全年谷底，且農曆新年後已有兩間上游原廠漲價 9-11%，比市場預期來得早，預期在企業級 SSD 與控制晶片雙引擎帶動下，2025 年營運將強勁增長。
記憶體概念股：宜鼎（5289）
宜鼎成立於 2005 年，總部位於台灣台北，是一家專注於 工業級儲存和記憶體解決方案 的公司。其產品包括工業級 SSD、DRAM 模組及嵌入式周邊設備，應用範圍涵蓋工業自動化、航空、國防和交通運輸等領域。宜鼎以高可靠性、客製化和耐用性著稱，能滿足嚴苛環境下的應用需求。
投資亮點
- 工業4.0和物聯網需求：隨著工業自動化和物聯網（IoT）的快速發展，對高可靠性記憶體的需求不斷增加，宜鼎在此領域具備先發優勢。
- 客製化能力：宜鼎提供量身定制的解決方案，能滿足不同行業的特殊需求，增強其市場競爭力。
- 全球市場拓展：公司在歐洲、美洲和亞洲均設有業務據點，積極開拓國際市場，成長潛力可期
編按 2026/1/28 更新：宜鼎於 2025/11/24 的法說會指出，AI 應用帶動的記憶體需求已明顯脫離傳統景氣循環邏輯，目前市場呈現「貨源相對穩定，但需求遠高於可供貨量」的結構性失衡狀態。公司表示，當前營運核心已不在價格談判，而在於如何在有限產能下進行客戶與應用別的優先配置，顯示工業級與高可靠性記憶體需求強度明顯提升。管理層亦預期，2025 年將呈現 DRAM 與 NAND Flash 同步吃緊的「雙缺」格局，而 Edge AI 應用則進入實質放量階段。宜鼎目前 Edge AI 相關產品營收占比已接近四分之一，並規劃進一步提升至約三成水準，顯示工控、嵌入式與 AI 應用的結合，正逐步成為公司中期成長的重要動能來源。
編按：本土券商預估，2025 年宜鼎 DRAM 及 NAND Flash 模組出貨量將年增 19% 及 15%，主要得益於工控產業復甦，以及 DRAM 在網通領域市占提升。預期2025年工控產業可望迎來雙位數以上成長，年增幅度將優於手機、PC 及Server 的5%/5%/12%，係因：(1)IPC產業已於1Q24落底，並於2025年持續復甦；(2)美國總統大選結束，對於提升醫療、能源與博奕等高度依賴政策導向之工控產業投資意願將有所助益；(3)2025年為工控Edge AI爆發性成長元年，而DeepSeek出世有助於提高市場對Edge AI領域關注。
記憶體概念股：南亞科（2408）
南亞科成立於 1995 年，總部位於台灣桃園，是台灣最大的 DRAM 製造商。該公司專注於 DRAM 晶片的研發、設計與生產，產品應用於個人電腦、伺服器、行動裝置和消費電子等領域。南亞科與美國美光科技（Micron Technology）長期合作，共同開發先進 DRAM 技術，提升其市場地位。
投資亮點
- DRAM市場回暖：隨著全球經濟復甦和科技需求的增長，DRAM 市場呈現成長趨勢，南亞科技可望受惠。
- 技術升級：南亞積極開發 DDR5 技術，預計在未來的記憶體市場中佔據重要地位。
- 合作夥伴關係：與美光的長期合作為南亞科技提供了技術支持與市場優勢，增強其競爭力。
記憶體概念股：華邦電（2344）
華邦電子成立於 1987 年，總部位於台灣台中，是全球知名的 記憶體解決方案 提供商。該公司生產多種記憶體產品，包括 利基型記憶體、行動記憶體 和 快閃記憶體（NOR Flash），應用於通訊、汽車電子、工業控制和消費電子等領域。華邦以其多元化的產品線和技術實力聞名。
投資亮點
- 多元化產品線：華邦的產品涵蓋多個市場領域，分散單一市場的風險，提供穩定的成長動能。
- 全球市場佈局：公司在美國、日本、中國等地設有業務據點，市場影響力廣泛，具備全球化競爭優勢。
- 持續創新：華邦積極投入研發，推出如 HyperRAM 等高效能、低功耗產品，保持技術競爭力。
編按 2026/1/28 更新：近期產業資訊顯示，華邦電主要產品線需求維持高檔水準，營運重心轉向新品放量與產能配置優化。在 DRAM 方面，公司 8Gb DDR4 產品已於 2026 年第一季進入量產與出貨階段，首波應用聚焦於電視、網通與嵌入式系統。新規格導入有助提升單位晶圓產值，在供給偏緊環境下，客戶接受度高，產品組合結構較過去明顯改善，後續出貨比重可望逐步提升。
Flash 業務方面，華邦電持續強化 NOR Flash 供應地位，規劃將月投片量由 2025 年底約 2.5 萬片，提升至 2026 年中約 3 萬片，以因應工控、車用與通訊等應用需求。隨同業調整產品策略、相關供給趨緊，華邦電在利基型 Flash 市場的供應角色進一步鞏固。此外，受 NAND 產能排擠效應影響，SLC NAND 市場供給亦趨於吃緊，帶動相關產品出貨動能與報價條件同步改善，成為 Flash 業務的另一項支撐來源。
記憶體概念股：旺宏（2337）
旺宏電子是台灣知名的非揮發性記憶體供應商，主要以 NOR Flash 為主。這家公司在半導體記憶體技術上有深厚的技術積累，產品廣泛應用於消費電子、汽車電子、工業控制及各類嵌入式系統中。旺宏憑藉其成熟的製程和穩定的產品品質，在全球市場中擁有一定份額和長期客戶關係。
投資亮點：
- 技術專注與利基市場： NOR Flash 市場雖然規模較小（約占全球記憶體市場 3%左右），但由於應用領域特定，產品毛利通常較高且客戶黏著度強。
- 長期合約與穩定收益： 旺宏產品多以長期合約方式供貨，穩定的出貨和收益能降低市場波動風險。
- 技術創新與客製化能力： 公司持續在製程和產品設計上投入研發，有望開拓新興應用（例如汽車電子和物聯網領域），提升未來成長性。
編按 2026/1/28 更新：旺宏於 2026/1/28 法說會後，市場關注焦點轉向其在 eMMC／MLC NAND 與 NOR Flash 的結構性利基。公司指出，隨著三星等記憶體大廠陸續退出相關產品線，eMMC 與部分成熟型 NAND 供給出現明顯缺口，市場實質上進入「賣方結構」，旺宏成為少數仍具量產能力的供應商之一。相關產品呈現即產即銷狀態，顯示需求強度遠高於可供產能。
在產品結構上，旺宏 NAND 相關營收比重正快速提升，並規劃動用既有核准的資本支出擴充 12 吋產線設備，以因應持續升溫的需求。公司亦於法說會中提及，未來將切入 AI 推論相關應用場景，包含儲存型資料調用需求，進一步擴大成熟製程產品的應用範圍。在記憶體供需結構轉為緊俏、成熟製程產能受限的環境下，旺宏所處的 NOR Flash 與 eMMC 利基市場，具備較高的定價彈性與議價空間，有助於後續營運槓桿釋放。
記憶體概念股：威剛（3260）
威剛是全球知名的記憶體模組和儲存產品製造商，產品線包括 DRAM 模組、固態硬碟（SSD）、USB 隨身碟、記憶卡等。憑藉著出色的產品設計、品牌行銷與全球銷售網絡，威剛在消費性電子市場中具有相當高的知名度和市場佔有率。
投資亮點：
- 品牌與全球市場： 威剛以品質和創新著稱，產品遠銷海外，市場分散風險較低。
- 產品線多元化： 從記憶體模組到儲存裝置，產品覆蓋消費級和商用市場；隨著 SSD 與高階記憶體需求上升，品牌形象進一步強化。
- 技術升級與市場需求： 隨著 PC、筆記本及數據中心對 DDR5、LPDDR5 等新型 DRAM 模組需求的增長，威剛有望受益於技術升級帶來的市場利潤提升。
記憶體概念股：創見（2451）
創見科技為台灣的記憶體與儲存解決方案大廠，主要產品涵蓋 USB 隨身碟、固態硬碟、記憶卡及外接儲存設備等。創見歷經多年市場耕耘，產品以穩定、兼容性好著稱，在全球範圍內擁有廣泛的客戶群。
投資亮點：
- 穩定的產品品質： 以高可靠性及良好兼容性建立市場信任，尤其在消費市場和嵌入式應用中具有競爭優勢。
- 多元市場佈局： 除了消費市場，創見也在企業級儲存、工業應用等領域有所佈局，業務分散降低風險。
- 品牌與市場份額： 長期的品牌經營和成熟的銷售網絡，使得創見在全球市場上擁有穩固的地位，有助於未來營收穩健成長。
記憶體概念股：力成（6239）
力成科技主要專注於記憶體封測與模組組裝領域，屬於記憶體產業供應鏈中的中游企業。力成在 DRAM 及其他記憶體封裝技術上具有豐富經驗，產品主要供應給上游晶片製造商及下游模組廠。公司以成本控制和技術穩定為優勢，在市場周期中通常扮演“穩定器”的角色。
- 產業位置穩固： 作為封測公司，力成受整個記憶體市場供需變化影響較大，但同時在市場繁榮時能夠分享上游利潤。
- 技術與規模效應： 公司在封裝技術上不斷創新，並隨著規模擴大降低成本，這有助於在市場價格回升時獲得更高毛利。
- 景氣循環中的逆勢表現： 在記憶體市場進入景氣復甦期時，下游模組廠與通路商的需求增加，力成作為關鍵封測環節，往往能夠受惠於整個產業鏈的正向循環。
編按 2026/1/28 更新：力成於 2026/1/27 法說會中明確指出，未來三年資本支出將聚焦於先進封裝技術布局，核心主軸為 FOPLP（Fan-Out Panel Level Packaging），並進一步延伸至光引擎封裝與 CPO（Co-Packaged Optics），鎖定 AI 晶片與高速運算相關應用。公司規劃分階段擴充產能，P11 廠無塵室擴建預計於 2026 年第二季完成，長期月產能目標上看 6,000 片。
在技術進程上，力成目前正同步進行大型化 AI 晶片封裝、光電整合與 CPO 技術的研發與驗證，預期自 2027 年起逐步進入量產階段，並開始對營收形成實質貢獻。隨著 AI 與 HPC 對先進封裝需求持續升溫，力成若能順利完成客戶認證，有機會由傳統記憶體封測角色，延伸至 AI 封裝供應鏈中的關鍵一環，成為中長期成長動能的重要來源。
結論＆未來看法
記憶體仍屬於高度受供需影響的大宗商品型產業，但本輪循環已明顯不同於過往單純由 PC 或手機需求驅動的景氣起伏。隨著 AI 伺服器、雲端資料中心與 Edge AI 應用快速擴張，記憶體需求結構出現實質轉變，供給端又因產能大量轉向 HBM 與先進製程，使一般型 DRAM 與 NAND Flash 長期處於結構性偏緊狀態。
在價格面上，NAND Flash 已進入明確的上行循環，企業級 SSD（eSSD）與 QLC 相關需求成為主要支撐動能；DRAM 則在 HBM 排擠效應與 Server／AI 需求推升下，高檔態勢延續，DDR4 供給吃緊時間亦明顯拉長。產業共識普遍認為，供需再平衡的時間點已由原先預期提前修正為 2027 年以後，顯示本輪是具備延續性的結構循環。
從近期法人觀點來看，市場已逐步將本輪記憶體行情定義為由 AI 驅動的「中期結構循環」。法人普遍聚焦於 HBM 排擠效應、Edge AI 帶動終端容量升級、DDR4 與 DDR5 世代交替，以及企業級 SSD（eSSD）需求快速放量等四大核心動能，作為未來 6 至 12 個月股價表現的主要支撐因素。這也意味著，市場評價邏輯正轉向「哪些公司能真正吃到結構性需求」，產業選股的重要性已明顯高於單純押注價格波動。
因此，投資記憶體產業需同時關注產品結構、應用場景與產能配置變化。具備利基型產品、掌握 eSSD、Edge AI、先進封裝或低成本庫存優勢的廠商，在本輪循環中相對更具防禦性與獲利彈性。對投資人而言，重點在於判斷產業是否仍處於供需失衡的有利區間，並持續追蹤價格與終端需求的實質變化。
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