DRAM 是什麼？DRAM 概念股有哪些？如何查詢 DRAM 報價？

最近更新時間： 31 December, 2025

在 AI、雲端與高效能運算（HPC）需求的帶動下，記憶體超級循環（Memory Super Cycle）再度成為市場焦點，近期 DRAM 等記憶體產品需求快速回溫，價格走勢持續強勢，讓記憶體族群成為 2025 年資金最關注的核心焦點。究竟 DRAM 是什麼？和 SRAM 差在哪裡？概念股有哪些？本文將帶你一次掌握 DRAM 的重點知識，讓你快速理解這波記憶體行情的核心脈動！

DRAM 是什麼？

DRAM（Dynamic Random Access Memory，簡稱 DRAM）中文名稱是動態隨機存取記憶體，是一種用來暫時儲存資料的揮發性記憶體，也是電腦、伺服器、智慧型手機與 AI 系統中最核心的主記憶體元件。當處理器運算時，會先將程式與資料載入 DRAM 中，以便快速存取與即時運算，一旦電源關閉，DRAM 內的資料便會消失，因此主要負責「短期、高頻率」的資料交換與暫存。

由於 DRAM 具備容量大、成本相對低、可大量堆疊等特性，長期成為各類運算裝置的標準記憶體配置，隨著 AI 伺服器、高效能運算（HPC）與雲端資料中心對記憶體頻寬與容量的需求大幅提升，DRAM 不僅是系統效能的關鍵，也成為推動記憶體超級循環的重要核心產品，其技術演進與供需變化，往往直接牽動整體半導體與科技產業的景氣走向。

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DRAM 與 SRAM / Flash 的差異

DRAM 與 SRAM 同屬隨機存取記憶體，但在結構設計與應用定位上截然不同，DRAM 採用電容儲存資料，必須不斷進行「刷新（Refresh）」來維持資料內容，存取速度相對較慢，但優點是單位成本低、可製作大容量，適合作為電腦與伺服器的主記憶體。

SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存取記憶體）則不需要刷新機制，資料在通電狀態下穩定保存，具備速度快、延遲低的特性，但結構複雜、晶片面積大，導致成本高、容量難以擴充，因此 SRAM 多半用於 CPU 快取、AI 晶片、網通與高階嵌入式系統等對即時反應要求高的場景。

DRAM 著重於「容量與成本效率」，SRAM 則強調「速度與穩定性」，兩者並非彼此取代，而是在現代運算架構中各司其職。隨著 AI 與高效能運算快速發展，DRAM 負責支撐龐大的資料吞吐量，SRAM 則強化關鍵運算節點的反應速度，共同成為推動記憶體產業升級與超級循環的重要關鍵。

資料來源：作者整理
DRAM 與 SRAM 比較
項目	DRAM	SRAM
刷新	需定期刷新資料	不需刷新
存取速度	較慢	非常快
延遲表現	較高	極低
單位成本	低	高
容量擴充性	高	低
功耗表現	相對較低	較高
主要用途	電腦、手機、伺服器	CPU Cache、AI 晶片、網通設備
市場規模	大，具景氣循環特性	小，屬於利基市場

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DRAM 各世代差在哪？從 DDR 到 DDR5、HBM

DRAM 規格隨著運算需求不斷演進，主要以 DDR（Double Data Rate）架構為基礎，隨著製程進步與效能需求提高，市場從 DDR3、DDR4 升級至目前的 DDR5，每一代都在頻寬、功耗與容量上出現明顯躍進。目前主流的 DDR5 具備更高的傳輸速度與頻寬，適合 AI 伺服器、資料中心與高效能運算（HPC）等應用場景，隨著雲端服務商加速升級平台，DDR5 滲透率提升，成為推動新一波 DRAM 需求成長的重要動能。

除了傳統 DDR 外，近年市場高度關注的還包括 HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體），HBM 採多層 DRAM 垂直堆疊與先進封裝技術，大幅提升頻寬與資料傳輸效率，專為 AI 加速器與高階 GPU而生。

資料來源：ADATA；作者整理
DDR 世代差異比較
項目	DDR3	DDR4	DDR5
問世時間	2007年	2014年	2020年
傳輸速度	800–2133 MT/s	2133–3200 MT/s	4800 MT/s 以上
頻寬表現	低	中	高
工作電壓	約 1.5V	約 1.2V	約 1.1V
主要應用	舊款 PC、嵌入式系統	主流 PC、伺服器	AI 伺服器、資料中心、HPC
市場地位	逐步退場	主流市場	成長快速

DRAM 概念股

DRAM 產業具備高度景氣循環特性，當市場進入記憶體超級循環，價格與出貨同步回升時，相關概念股往往成為資金率先布局的焦點。DRAM 產業包含上游的製造商、中游的晶圓代工、特殊製程與模組整合廠商，以及下游封裝與測試，隨著本波記憶體超級循環持續進行中，DRAM 概念股有望繼續成為資金競逐的對象，以下介紹熱門的 DRAM 概念股。

資料來源：作者整理
DRAM 概念股
公司名稱	股票代碼	產業定位	介紹
南亞科	2408	記憶體製造	台灣主要 DRAM 製造商，產品涵蓋 DDR4、DDR5
華邦電	2344	記憶體製造	以利基型 DRAM、NOR Flash 為主，應用於工控、車用與消費性電子
晶豪科	3006	記憶體製造	利基型記憶體 DRAM、SRAM、Flash
威剛	3260	記憶體模組	DRAM 模組與 SSD 產品
創見	2451	記憶體模組	工業級與消費型記憶體
十銓	4967	記憶體模組	DRAM 模組、電競與高效能產品線
力成	6239	記憶體封測	DRAM 與 NAND 產品封測
日月光投控	3711	封裝測試	DRAM、HBM 封裝測試

除了以上台股的 DRAM 概念股，美股也有許多股票與 DRAM 領域相關，美股 DRAM 概念股包含美光(MU)、RAMBUS (RMBS)、晟碟 Sandisk(SNDK)等，佈局美股的投資人可以多加關注。

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如何查詢 DRAM 記憶體報價？

投資人想掌握 DRAM 產業景氣，最重要的一步就是定期追蹤「記憶體報價走勢」，目前市場上常見的查詢方式，以專業市調機構與產業資訊平台為主，例如 TrendForce（集邦科技）、DRAMeXchange 等，會定期公布 DRAM（如 DDR4、DDR5、Server DRAM）與 NAND Flash 的合約價與現貨價趨勢。

合約價反映大廠與客戶的長期交易情況，較能代表產業中期景氣；現貨價則波動較快，適合觀察短線供需變化。投資人在查詢報價時，建議搭配月增率、季增率與歷史走勢一起觀察，並與記憶體廠的營收、庫存水位交叉比對，才能更準確判斷 DRAM 是否進入復甦或反轉階段。

DRAM 市場現況：記憶體產業進入超級循環

近期全球記憶體市場出現戲劇性轉變，DRAM 報價全面走揚，推動產業進入「超級週期（supercycle）」，Yahoo Finance 數據指出，DRAM 合約價格年增幅高達170%以上，供需緊俏延續至2026年，市場預期 2026Q1 合約價可望再上漲約 30%。集邦科技（TrendForce）統計 DDR5 現貨均價自 2025 年 10 月約 7.68 美元飆升至約 27 美元，短短約 2 個月內上漲超過 2.5 倍。

這波漲價潮背後主要動能，是 AI 資料中心與高效能運算（HPC）對記憶體需求爆發性成長，製造商將產能優先分配給高利潤的高頻寬記憶體（HBM）與 DDR5 訂單，使傳統 DRAM 供應更加吃緊，主要晶片廠如美光（Micron）、三星、SK 海力士等調漲報價，成交價格持續上升，市場普遍認為和過去的週期性漲價不同，本次漲勢具備更深層的結構性支持。

DRAM 產業未來展望

根據研調機構 Market Research Future 的數據顯示，2024 年全球 DRAM 產值約為 1,311 億美元，預估 2035 年全球 DRAM 產值將上升至 3,816.7 億美元，年複合成長率達 10.2%，其他研調機構也大致認為 DRAM 產業的產值在未來 10 年約有 6~10% 的年複合成長率，可見在 AI 需求的推動下，DRAM 產品已出現較樂觀的市況。

DRAM 市場規模

隨著 AI 應用快速擴張，記憶體產業正從傳統的景氣循環，轉向結構性成長的「超級循環」階段，展望未來，AI 訓練與推論模型規模持續放大，將大幅提高單一伺服器的 DRAM 與 HBM 用量，使記憶體不再只是配角，而是 AI 基礎建設中的關鍵資源，支撐 DRAM 超級週期能否維持的因素包括 AI 伺服器持續擴建、HBM 等高階記憶體需求強勁，以及整體供應鏈產能有限，潛在風險則包括中長期產能釋出、技術替代或庫存回補過快等。對投資人而言，後續可持續關注 AI 伺服器出貨量、HBM 滲透率，以及 DRAM 報價走勢，作為評估 DRAM 概念股成長潛力的重要依據。

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